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无采样电阻的功率器件保护方法—冠发资讯

文章来源:bm777888手机版人气:2220发表时间:2015-10-31 08:58:53

  MOSFET或IGBT保护方法有很多,有专门带保护的驱动电路,也有用康铜丝做电流采样的保护电路。专门带保护的驱动电路一般成本较高,用康铜丝做电流采样+比较器容易产生振荡。下面先容一种无采样电阻的方法。

  下面先容一种无采样电阻的方法:

  

  上图中,Q1是功率管MOSFET或IGBT,R1是负载,D1是采样二极管,R2是上拉电阻。在Q1导通时D1的K极电压就是Q1压降,D1的A极电压在其基础上高了D1压降(Q1压降+D1压降)。D1压降是恒定值,当过载时Q1压降增大,从而ADC采样值增大,大到一定程度时就可以认为是过载,用程序判断之。电路中D1的作用是防止Q1判断时VPOWER流入ADC引脚烧毁MCU。
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